保有特許

1. 特許第6873336号、発明の名称:半導体イメージセンサ

 【要約】
  近赤外光に対して高感度かつ小面積での集積化が可能な半導体イメージセンサを提供する。本発明の半導体イメージセンサは、シリコン基板と該シリコン基板上に形成された絶縁膜と絶縁膜上に形成された半導体層とを備えたSOI基板の前記絶縁膜下のシリコン基板に形成されると共に、シリコン基板の主面に垂直な方向に形成され近赤外光に感度を有するpn接合ダイオードからなる受光素子と、pn接合ダイオードに逆方向バイアス電圧を印加するための印加電圧を発生させる高電圧発生回路とを備え、シリコン基板の不純物濃度が1×1012/cm乃至1×1014/cmの範囲にあり、膜厚が300μm乃至700μmの範囲にあり、印加電圧が10V乃至60Vの範囲にある。