保有特許

1. 特許第6873336号、発明の名称:半導体イメージセンサ

 【要約】
  近赤外光に対して高感度かつ小面積での集積化が可能な半導体イメージセンサを提供する。本発明の半導体イメージセンサは、シリコン基板と該シリコン基板上に形成された絶縁膜と絶縁膜上に形成された半導体層とを備えたSOI基板の前記絶縁膜下のシリコン基板に形成されると共に、シリコン基板の主面に垂直な方向に形成され近赤外光に感度を有するpn接合ダイオードからなる受光素子と、pn接合ダイオードに逆方向バイアス電圧を印加するための印加電圧を発生させる高電圧発生回路とを備え、シリコン基板の不純物濃度が1×1012/cm乃至1×1014/cmの範囲にあり、膜厚が300μm乃至700μmの範囲にあり、印加電圧が10V乃至60Vの範囲にある。

 

  台湾特許番号:I757098、中国特許番号:ZL 202080028666.1、米国特許:審査中

 

2. 特許第7097137号、発明の名称:光検出装置

【要約】
  基板作製コストをInGaAsと比べ、十分に低く抑え、且つアフターパルスも少なく、DCRも抑えたSPADを備えた光検出装置とその製造方法を提供する。対象物からの入射光を検出する光検出装置において、(i)P型シリコン(Si)基板と、(ii)前記P型シリコン(Si)基板の表面となる第1面にエピタキシャル成長により形成したP型ゲルマニウム(Ge)層と、(iii)前記P型ゲルマニウム(Ge)層上に形成したP型薄膜シリコン(Si)層と、を含み、(iv)前記P型薄膜シリコン(Si)層はシャロートレンチアイソレーション(STI:Shallow Trench Isolation)により第1の領域と第2の領域とに区画され、前記第1の領域にはアレイ状に配列された複数の単一光子検出ダイオード(SPAD)が、前記第2の領域には前記SPADを駆動するCMOSトランジスタ回路が形成される。