- 半導体イメージセンサ 特許第6873336
近赤外光に対して高感度かつ小面積での集積化が可能な半導体イメージセンサを提供する。本発明の半導体イメージセンサは、シリコン基板と該シリコン基板上に形成された絶縁膜と絶縁膜上に形成された半導体層とを備えたＳＯＩ基板の前記絶縁膜下のシリコン基板に形成されると共に、シリコン基板の主面に垂直な方向に形成され近赤外光に感度を有するｐｎ接合ダイオードからなる受光素子と、ｐｎ接合ダイオードに逆方向バイアス電圧を印加するための印加電圧を発生させる高電圧発生回路とを備え、シリコン基板の不純物濃度が１×１０12／ｃｍ３乃至１×１０14／ｃｍ３の範囲にあり、膜厚が３００μｍ乃至７００μｍの範囲にあり、印加電圧が１０Ｖ乃至６０Ｖの範囲にある。
米国および欧州特許 審査中
台湾特許 I757098
中国特許 ZL202080028666.1
- 光検出装置 特許第7097137号
基板作製コストをＩｎＧａＡｓと比べ、十分に低く抑え、且つアフターパルスも少なく、ＤＣＲも抑えたＳＰＡＤを備えた光検出装置とその製造方法を提供する。対象物からの入射光を検出する光検出装置において、（ｉ）Ｐ型シリコン（Ｓｉ）基板と、（ii）前記Ｐ型シリコン（Ｓｉ）基板の表面となる第１面にエピタキシャル成長により形成したＰ型ゲルマニウム（Ｇｅ）層と、（iii)前記Ｐ型ゲルマニウム（Ｇｅ）層上に形成したＰ型薄膜シリコン（Ｓｉ）層と、を含み、（iv）前記Ｐ型薄膜シリコン（Ｓｉ）層はシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ：Shallow Trench Isolation）により第１の領域と第２の領域とに区画され、前記第１の領域にはアレイ状に配列された複数の単一光子検出ダイオード（ＳＰＡＤ）が、前記第２の領域には前記ＳＰＡＤを駆動するＣＭＯＳトランジスタ回路が形成される。
米国、欧州および中国 審査中
台湾特許 I813464